Генерисање ЕСД-а и опасности
Електростатичко пражњење (ЕСД) настаје када се два објекта сударе или раздвајају. ЕСД је кретање статичког наелектрисања са једног објекта на други између два објекта са различитим потенцијалима, слично малом удару грома. Величина и трајање пражњења зависе од различитих фактора, укључујући врсту објекта и околину. Када ЕСД има довољно велику енергију, може оштетити полупроводничке уређаје. ЕСД се може јавити у било ком тренутку, као што је при укључивању или ископчавању каблова, када особа додирне И/О порт уређаја, када наелектрисани објекат додирне полупроводнички уређај, када полупроводнички уређај додирне земљу или када се генеришу електростатичка поља и електромагнетне сметње, што доводи до довољно високих напона који изазивају ЕСД.
ЕСД се може широко категорисати у три типа: ЕСД узрокован разним машинама, ЕСД узрокован померањем намештаја или опреме и ЕСД изазван људским контактом или кретањем опреме. Сва три типа ЕСД-а су критична за производњу полупроводничких уређаја и електронских производа. Електронски производи су најподложнији оштећењима од трећег типа ЕСД-а током употребе, при чему су преносиви електронски производи посебно осетљиви на ЕСД изазване људским контактом. ЕСД обично оштећује повезане уређаје интерфејса. Алтернативно, уређаји који су подвргнути ЕСД-у можда неће одмах покварити, али доживети деградацију перформанси, што доводи до прераног квара производа. Када је интегрисано коло (ИЦ) подвргнуто ЕСД-у, отпор кола пражњења је обично веома низак, не може да ограничи струју пражњења. На пример, када је статички-напуњен кабл прикључен у интерфејс кола, отпор кола за пражњење је скоро нула, што резултира тренутним ударним струјама пражњења до десетина ампера. Ова тренутна велика струја која тече у одговарајуће ИЦ пинове може озбиљно оштетити ИЦ; локализована топлота може чак да растопи силицијумску матрицу.
Оштећење ИЦ-а од ЕСД-а генерално такође укључује сагоревање унутрашњих металних веза, оштећење пасивационог слоја и сагоревање транзисторских ћелија. ЕСД такође може да изазове блокирање{1}}ИЦ-а. Овај ефекат је сличан оном унутар ЦМОС уређаја, где се активирају структурне јединице тиристора. Висок напон може активирати ове структуре, формирајући велики струјни пут, обично од ВЦЦ до земље. Струја затварања{5}}затварача уређаја са серијским интерфејсом може бити чак 1 ампер. Струја -забрављивања ће остати док се уређај -не искључи. Међутим, до тада је ИЦ обично већ прегорео због прегревања. Два проблема могу настати након ЕСД удара који се не могу лако открити. Ове проблеме обично не откривају општи корисници и ИЕЦ организације за тестирање које користе традиционалне методе повратне спреге и уметања.